[Etch (2)/S.M.T.] Etch Parameters(식각파라미터)

2. Etch Parameters

Etch를 할 때 그냥 막 하면 좋겠지만 사실 다양한 값들을 설정해주어야 하고 특별한 조건들을 만족시켜주어야한다.

아래는 일반적으로 사람들이 중요하다고 생각하는 9개의 Etch Parameter을 소개하겠다.

Etch Parameters - Etch rate [식각률: 얼마만큼 빨리 Etch가 되었는가? (분당깍인 두께)] - Etch profile [식각 형상: 얼마만큼 Etch가 직각으로 잘 되었는가?]  - Etch bias [식각 바이어스: 좌우로 흔들리지 않았는가?] - Selecitivity [선택도: 막아놓은 부분은 Etch되지말고 열어 놓은 부분은 잘 Etch 되었는가?] - Uniformity [균일성: 최근들어 중요해졌다. 옛날에는 균일성이 이미 좋았으나 Wafer size가 커지면서 깨지기 시작함.] - Residues [잔류물] - Polymer formation [폴리머(=고분자막) 형태: Etch를 막는 막이 잔류 되어있는지?] - Plasma-induced damage [플라즈마 유도 손상] - Particle contamination and defects [입자 오염과 결함]

 

1) Etch rate [식각률: 얼마만큼 빨리 Etch가 되었는가? (분당깍인 두께)]

 

2) Etch profile [식각 형상: 얼마만큼 Etch가 직각으로 잘 되었는가?] 

 

3) Etch bias [식각 바이어스: 좌우로 흔들리지 않았는가?]

 

4) Selecitivity [선택도: 막아놓은 부분은 Etch되지말고 열어 놓은 부분은 잘 Etch 되었는가?]

 

5) Uniformity [균일성: 최근들어 중요해졌다. 옛날에는 균일성이 이미 좋았으나 Wafer size가 커지면서 깨지기 시작함.]

 

6) Residues [잔류물]

 

7) Polymer formation [폴리머(=고분자막) 형태: Etch를 막는 막이 잔류 되어있는지?]

 

8) Plasma-induced damage [플라즈마 유도 손상]

 

9) Particle contamination and defects [입자 오염과 결함]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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※참고자료: Michael Quirk & Julian Serda, Semiconductor Manufacturing Technology, PEARSON 2001

※참고자료: 나무위키(Etch), WIKIPEDIA

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